Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter: Herstellung und Anwendungen
Neue Wide Bandgap(WBG)-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen es als Leistungs-Halbleiter, sehr effizient elektrische Energie in der E-Mobilität, in PV-Wechselrichtern oder Netzteilen umzuwandeln. Die Entwicklung neuer Halbleitermaterialien wird vor allem durch die Anwendungen getrieben.
Das Kooperations-Seminar WBG-Halbleiter gibt einen Einblick in die komplexen Zusammenhänge zwischen der Herstellung der Leistungs-Halbleitermaterialien und den Anwendungseigenschaften in leistungselektronischen Systemen. Nanotechnologisches Grundverständnis ist bei Herstellung und Charakterisierung von Halbleitern von entscheidender Bedeutung für die resultierenden Eigenschaften und die Qualität.
Ziele des Seminars:
- Information über die komplexen Zusammenhänge zwischen Herstellungsprozessen und resultierenden anwendungsrelevanten Eigenschaften
- Grundlegendes Verständnis zu Nanotechnologie und Charakterisierungsverfahren
- Vernetzung von Personen unterschiedlicher Fachdisziplinen und Branchen
Zielgruppe:
Alle Personen, die mehr über die technischen Prozesse und Wechselwirkungen entlang der Wertschöpfungskette moderner Leistungs-Halbleiter erfahren wollen. Insbesondere Entwickler und Anwender, aber auch Vertrieb, Produktmanagement usw.
Teilnahmegebühren:
- 249 EUR - Firmen
- 95 EUR - Universitäten und Institute
- Kostenfreie Teilnahme für Studierende (Kopie des Ausweises erforderlich, begrenzte Anzahl Plätze)
Anmeldeschluss:
8. Oktober 2024 (14Uhr)
Programm/Ablauf
| 09:30 | Registrierung |
| 10:00 | Begrüssung B. Bitterlich und P. Grambow |
| 10:10 | Einführung Nanotechnologie P. Grambow, Nanoinitiative Bayern GmbH |
| 10:20 | Einführung Leistungselektronik B. Bitterlich, Cluster Leistungselektronik im ECPE e.V. |
| 10:30 | Impuls: Wechselwirkungen zwischen Material-Entwicklung und Nanotechnologie Marcus Weht, Nanosurf |
| 11:00 | Impuls: Anwendungen als Treiber der WBG-Materialentwicklung: Beispiel SiC Ole Gerkensmeyer, Wolfspeed |
| 12:00 | Vom Chip zur Anwendung: Herstellprozesse, Aufbau und Anwendungseigenschaften Peter Friedrichs, Infineon |
| 12:30 | Mittagspause |
| 13:30 | GaN – Überblicksvortrag Jens Baringhaus, Bosch |
| 14:00 | Beitrag GaN Valley Initiative Marnix Tack, BelGaN |
| 14:30 | GaO-Substrate Thomas Schröder, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) |
| 15:00 | Kaffeepause |
| 15:30 | GaO-Bauelemente Patrick Scheele, Ferdinand-Braun-Institut |
| 16:00 | WBG der nächsten Generation Jörg Schulze, Fraunhofer IISB |
| 16:30 | Abschlussdiskussion |
| 17:00 | Ende der Veranstaltung |
Details
Datum: 15.10.2024, 09:30 – 17:00
Ort:
Fraunhofer IISB, Schottkystraße 10, 91058 Erlangen
Preis: 249 EUR
Veranstalter:
Cluster Leistungselektronik, Cluster Nanotechnologie